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台积电张忠谋谈16nm比三星强英特尔非对手OFweek电子工程网dd

发布时间:2021-01-22 07:33:09 阅读: 来源:电动阀厂家

台积电张忠谋谈16nm:比三星强/英特尔非对手 - OFweek电子工程网

OFweek电子工程网讯:台积电(2330-TW)(TSM-US)董事长张忠谋24日在股东会期间表示,台积电16nm比三星强很多,至于英特尔仍不是一个竞争因素。 他回应股东提问 2个劲敌 说,这两个公司正如这位股东所说,三星在14/16nm已经布局蛮久了, 我们每天都在注意他们在做甚么 也每天再检讨 我们的竞争姿态 , 我是非常满意我们的姿态 ! 他指出,这个行业讲究的三样技术、生产力、客户信任一一来看,技术上,台积电16nm技术超过了三星且比他要好,英特尔则还不再这个竞争里头,英特尔他的技术主要在大CPU而我们则在行动装置市场,因此英特尔还不是一个竞争因素! 第二生产能力,他指出产能来说,台积电与三星比来说又是强很多,英特尔也仍不是一个竞争因素。第三看客户关系与信任供应者,这一点上, 相信我们的客户的信任是远优过客户对三星的信任 。 他也幽默说,若看报纸关于三星各方面的评论、都是认为三星的system LSI的表现是不受三星高层的肯定,这也是有点原因的。 展望未来,他表示,在10nm布局上,的确英特尔也在进行,但相信10nm还有好几年,而台积电开始Tape out将约在目前的一年后、届时相信会有相当重要的Tape out,目前台积电与重要客户的合作非常积极、在R D的进度他是相当满意。 台积电致股东报告书已提到,台积电20nmSoC已获得客户热烈回响,预期较28nm更快量产之下达成驱动该公司今年与明年显着成长动力。台积电10nm制程技术正顺利研发中,预计2015年试产、2016年量产;同时7nm开发也已同步展开。而10nm制程是继16nmFinFET及16nmFinFET+后的第三代FinFET制程。

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